型号:IRF6662TR1PBF | 类别:FET - 单 | 制造商:International Rectifier |
封装:DirectFET? 等容 MZ | 描述:MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET |
系列 | HEXFET® |
制造商 | International Rectifier |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 8.3A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 22 毫欧 @ 8.2A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4.9V @ 100µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 31nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1360pF @ 25V |
功率_最大 | 2.8W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | DirectFET? 等容 MZ |
供应商设备封装 | DIRECTFET? MZ |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
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